Initial commit
lN-GaN、GaN-InN和AlN-InN三个准二元体系的混溶隙边界和会溶点(XC, TC)的定量计算结果;包含/排除振动自由能(Fvib)贡献的对比数据
版权所有:中国计算机学会技术支持:开源发展技术委员会 京ICP备13000930号-9 京公网安备 11010802032778号
fanshuai_dataset_20250919170510